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电寻址SLM

光寻址SLM

调制原理

通过寻址电极对每个独立的像素施加电压，液晶分子◇发生偏转，改变入射光的空间分布。

液晶光阀被施加驱动电压，光电导层接收空间强度变化的写入光，从而改变液晶层的电场分布〓。

芯片结构

特点

•串行输☆入控制信号

•对已有图像信号进行光转换

•并行输入控制信号

•对光实时捕获和转换▅

•填充因子高

透射式SLM

反射式SLM

含义

入射→光照射SLM后,会透过SLM,使入射光和出射光分居于SLM两侧。

入射光〇照射SLM后会被SLM反射,入射光和出射光位于SLM同侧。

芯片结构

优点

•便于实∏验系统集成

•像素※单元更小、更高的分辨率和填充因子

•光利用率更高↙

•响应速度更快

纯相位型SLM

纯振幅型SLM

相位兼振幅型SLM

含义

对光的波前相位进行调制，且不会引起光能的损耗

对入射光的振幅（强度）分布进行调制，存在↓能量损耗

对入射光的相位和ω振幅同时进行调制

芯片结构

上下取向膜》反向平行

上下取向膜反向平行

上下取向膜角度差为90°

原理

入射光偏振方向平行于液晶光轴，在外电场【下，入射光折射率发生变化；但偏振方向不发生变化，只改变相位

入射光偏振方向垂直于液晶光轴，在外电场下，入射光折射率不发生变化，透过率变化引起强度改变

入射光偏振方向平行于液晶光轴，在外电场下，入射光折射率发生变化，偏振方向也改变，同时实现相位、振幅调制